Архитектура и схемотехника управляемых усилителей и смесителей сигналов
Прокопенко Н Н, Будяков П С,
Отрицательное влияние на амплитудно-частотную характеристику паразитных емкостей коллектор-база (Сc1, Сc2) входных транзисторов VT1, VT2 в перемножителе Гильберта (рис. 2.5) можно скомпенсировать за счет рационального выбора емкостей С1, С2 источников опорного тока I1 и I2.
Рис. 2.5. Аналоговый перемножитель сигналов с цепью взаимной компенсации емкостей Сc1 = Сc2 и С1 = С2 = Csub
Результаты моделирования схемы рис. 2.5 на моделях SiGe транзисторов приведены на рис. 2.6.
Рис. 2.6. Зависимость коэффициента усиления АПН от частоты при различных емкостях на подложку С1 = С2 = Csub и R1 = 200 Ом, R3 = R4 = 200 Ом
Рис. 2.7. Зависимость верхней граничной частоты АПН рис. 5 от емкостей С1 = С2 = Csub при разных сопротивлениях резистора R1 = 200 Ом и R1 = 1 кОм
Особенностью схемы является так же зависимость верхней граничной частоты от сопротивления резистора R1. От его сопротивления зависят компенсирующие емкости С1 и С2.
Рассмотренные цепи частотной коррекции позволяют расширить частотный диапазон аналоговых перемножителей, смесителей и управляемых усилителей с выходным логарифматором по техпроцессу SGB25VD в 1,5...3 раза.